核心观点：
ASML 发布2018Q2 财报，逻辑制程驱动极紫外光机EUV 成为营收主要增长点，带动二季度营收增长超过30%。EUV（极紫外光机）是保证摩尔定律延续的关键设备，也是当前最先进的半导体光刻设备，其目标市场定位先进制程7nm 工艺。全球晶圆代工龙头台积电通过引进EUV推出的7nm 工艺几乎包揽了100% 7nm 市场。我们预计其下游主要客户有苹果、华为海思（麒麟980 芯片）、超威（罗马服务器CPU），赛灵思（Everest），挖矿机厂商嘉楠耘智等。而且由于EUV 光刻机的超高技术壁垒，整个EUV 市场被ASML 一家独占。此外今年的另一个技术趋势是存储器领域3D 技术逐渐走向成熟，由于3D NAND 需要堆叠技术，更多的层数将带动光刻设备（主要是DUV）的需求，因此我们认为国内半导体设备龙头厂商将优先受益。

2018 年7 月16 日合肥长鑫DRAM“506 项目”正式宣布试产8GbDDR4 的工程样片，标着着自主研发的国产DRAM 芯片实现了0 到1的突破。虽然中国是全球最大的消费电子市场和电子产品制造地，对于存储器需求旺盛，但是占存储器90%以上的内存DRAM 和闪存NANDFLASH 市场基本上是由韩，日，美三国垄断。即使下游需求暴涨，这三巨头依然联手限产控价，实现了半导体存储器市场20%以上的高速增长。随后国内接连发起对于三星，美光和海力士的反垄断调查，但是依然难掩国内存储器市场的落后，此次合肥长鑫DRAM 芯片的投片弥补了国内厂商在DRAM 市场的空白。我们认为合肥长鑫项目一旦顺利竣工，整条DRAM IDM 产业链都将充分受益，首先是参与设计的兆易创新和提供设备的北方华创将优先受益，其次太极实业作为其洁尘室的设计方和国内DRAM 封测龙头，有望承接长鑫一部分封测订单，在合肥布局建厂的通富微电也有希望获得部分订单。

重点关注：
上海微电子，太极实业，通富微电，兆易创新，北方华创
风险提示：
中国存储器进展不及预期
合肥长鑫DRAM芯片研发进度不达预期
半导体行业景气度下降，存储器需求减弱
国际存储大厂增加供给，挑起价格战，打压国内厂商的崛起

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半导体行业研究周报：EUV光刻机成ASML营收新动力 首例国产DRAM芯片试产

半导体行业研究周报：EUV光刻机成ASML营收新动力首例国产DRAM芯片试产